Как разогнать оперативную память: исчерпывающее руководство
Это обеспечит прирост производительности безо всяких вложений.
Какие характеристики определяют скорость работы оперативной памяти
Скорость работы компьютера зависит от объёма оперативной памяти. А насколько быстро она сама даёт записывать и считывать данные, покажут эти характеристики.
Эффективная частота передачи данных
Скорость работы памяти зависит от количества операций передачи данных, которые можно провести за одну секунду. Чем выше эта характеристика, тем быстрее работает память.
Формально скорость измеряется в гигатрансферах (GT/s) или мегатрансферах (MT/s). Один трансфер — одна операция передачи данных, мегатрансфер — миллион таких операций, гигатрансфер — миллиард.
Но почти всегда скорость указывают в мегагерцах или гигагерцах — производители решили, что покупателям так будет понятнее. Если на вашу планку памяти нанесена, например, маркировка DDR4‑2133, то её скорость передачи данных — 2 133 MT/s или 2 133 МГц.
Но эффективная частота передачи данных памяти DDR вдвое выше её тактовой частоты. Собственно, DDR — это double data rate, удвоенная скорость передачи данных.
В таких модулях данные за каждый такт передаются дважды: импульс считывается и по фронту сигнала, и по его спаду, то есть один цикл — это две операции. Таким образом, реальная частота, на которой работает память DDR-2666 — 1 333 MT/s или 1 333 МГц.
Если у вас установлены планки памяти с разной частотой, то система будет работать на наименьшей из них. Конечно же, материнская плата должна поддерживать эту частоту.
Тайминги
CAS‑тайминги (Column Access Strobe) — это задержки в процессе работы оперативной памяти. Они показывают, сколько тактов нужно модулю памяти для доступа к битам данных. Чем ниже тайминги, тем лучше.
По сути, память — это прямоугольная таблица, которая состоит из ячеек в строках и столбцах. Чтобы получить доступ к данным, нужно найти правильную строку, открыть её и обратиться к ячейке в определённом столбце.
Обычно тайминги записываются в таком формате: 15‑17‑17‑39. Это четыре разных параметра:
- Собственно, CAS Latency — задержка сигнала между отправкой адреса столбца в память и началом передачи данных. Отражает время, за которое будет прочитан первый бит из открытой строки.
- RAS to CAS Delay — минимальное количество тактов между открытием строки памяти и доступом к её столбцам. По сути, это время на открытие строки и чтение первого бита из неё.
- RAS Precharge Time — минимальное количество тактов между подачей команды предварительной зарядки (закрытием строки) и открытием следующей строки. Отражает время до считывания первого бита памяти из ячеек с неверной открытой строкой. В этом случае неверную строку нужно закрыть, а нужную — открыть.
- DRAM Cycle Time tRAS/tRC — отношение интервала времени, в течение которого строка открыта для переноса данных, ко времени, в течение которого завершается полный цикл открытия и обновления строки. Этот параметр отражает быстродействие всей микросхемы памяти.
Если у оперативной памяти высокая тактовая частота и большие тайминги, она может работать медленнее, чем вариант с меньшей частотой, но и более низкими таймингами. Вы можете разделить тактовую частоту на CAS Latency (первое число в строке таймингов) и понять, сколько инструкций в секунду способна выполнить память. Это позволит оценить, насколько она быстрая.
Напряжение
В документации к оперативной памяти вы можете увидеть много различных параметров: напряжение контроллера (SOC), тренировки памяти при запуске системы (DRAM Boot), источника опорного напряжения (Vref) и так далее. Для разгона важен в первую очередь SOC. Он зависит от класса памяти — нормой такие значения:
- DDR2 — 1,8 В;
- DDR3 — 1,5 В;
- DDR4 — 1,2 В.
Также для каждого класса памяти есть пиковые значения напряжений, которые при разгоне превышать не стоит:
- DDR2 — 2,3 В;
- DDR3 — 1,8 В;
- DDR4 — 1,5 В.
При повышении частоты оперативной памяти потребуется увеличенное напряжение. Но чем оно выше, тем больше риск преждевременного выхода модулей из строя.
Ранг
Оперативная память бывает одно‑, двух- и четырехранговой. Ранг — это число массивов из микросхем памяти, распаянных на одном модуле. Ширина одного массива (банка), как правило, равна 64 битам, в системах с ЕСС (кодом коррекции ошибок) — 72 бита.
Одноранговые модули (single rank) обычно включают 4 или 8 чипов на одной планке. Двухранговые (double rank) — 16 таких чипов. Четырехранговые (quad rank) — 32 чипа, и такой формат встречается достаточно редко.
Обычно этот показатель помечается буквой в названии: S (single) — одноранговая, D (double) — двухранговая, Q (quad) — четырехранговая.
Одноранговые чипы обычно дешевле и имеют больше перспектив для разгона. Двухранговые модули изначально работают с большей производительностью, но прирост при разгоне будет меньше.
Любую ли оперативную память можно разогнать
Это зависит в первую очередь от материнской платы. Если она поддерживает оверклокинг (разгон), то, скорее всего, и с разгоном памяти проблем не будет.
Материнские платы на базе чипсетов B350, B450, B550, X370, X470, X570 для процессоров AMD поддерживают разгон, на А320 — нет. На этой странице вы сможете уточнить, есть ли возможность оверклокинга у вашей модели.
Для систем с процессорами Intel для оверклокинга подходят платы на чипсетах Х- и Z‑серий. Модели из линеек W‑, Q‑, B- и H‑серий разгон не поддерживают. Уточнить данные по вашей материнской плате можно здесь.
Считается, что оперативная память Samsung обеспечивает наиболее высокий прирост при разгоне. Прирост производительности чипов Hynix и Micron будет меньше.
Подчеркнём: речь идёт именно о чипах. Некоторые бренды, например Kingston или Crucial, могут выпускать память на чипах Samsung, Hynix или Micron.
Вопрос лишь в том, зачем вам разгонять память. Если вы таким образом хотите ускорить сёрфинг в интернете, то вряд ли достигнете заметных результатов. А вот для повышения FPS в играх, ускорения обработки фото в Adobe Lightroom и видео в Adobe AfterEffects или Premiere разгон оправдан — можно «выжать» рост производительности на 15–20%.
Отметим также, что у процессоров AMD Ryzen частота оперативной памяти связана с частотой внутренней шины, которой соединяются два блока ядер. Поэтому для систем на базе AMD разгон напрямую влияет на производительность центрального процессора.
Но в любом случае гарантия производителей не распространяется на память, параметры которой вы изменили. Так что любой разгон вы делаете на свой страх и риск.
Как подготовиться к разгону оперативной памяти
Чтобы добиться результата и не навредить компьютеру, выполните эти шаги.
Почистите компьютер
Любой разгон ведёт к повышению температуры комплектующих. Чтобы система охлаждения эффективно справилась с этим, проведите генеральную уборку внутри системного блока или ноутбука. На этой странице вы найдёте инструкцию для ноутбука, с ПК всё окажется даже проще: комплектующие на виду, разбирать системный блок легче.
Установите ПО
Эти утилиты расскажут о характеристиках вашей системы и помогут протестировать её после разгона. Вам точно потребуется программа для определения параметров памяти и бенчмарк для тестов. Рекомендуем такие варианты ПО:
- Thaiphoon Burner — пожалуй, самая популярная в среде оверклокеров утилита для определения параметров памяти. Цена — от 26 долларов в год.
- CPU‑Z — небольшая бесплатная программа, которая поможет уточнить характеристики памяти и системы в целом.
- Аida64 — также показывает параметры системы и включает бенчмарки для тестирования. На официальном сайте есть платные варианты и бесплатные демоверсии.
- DRAM Calculator for Ryzen — бесплатная утилита, поможет выставить оптимальные параметры разгона оперативной памяти для систем на базе AMD Ryzen. Также ПО включает бенчмарк для тестирования памяти, который подходит и для систем на базе процессоров Intel.
- Prime95 — бесплатный бенчмарк для тестирования стабильности системы: он хорошо нагружает и процессор, и оперативную память. При использовании нужно выбрать вариант Blend, чтобы добиться значительной нагрузки на память.
- MemTest86 — бенчмарк, в котором вы найдёте больше данных и алгоритмов для проверки. Для работы программы потребуется флешка — на неё вы запишете образ диска с тестами. Затем нужно загрузить компьютер с флеш‑накопителя (выставить в BIOS / UEFI загрузку с USB) и запустить тесты. Бесплатной версии достаточно для разгона ОЗУ.
Найдите свежую версию BIOS / UEFI материнской платы
Обновите программное обеспечение материнской платы перед разгоном. Загрузить свежий BIOS / UEFI можно с сайта производителя.
Как правило, новые версии работают стабильнее, в них меньше ошибок и факторов риска. К тому же старые прошивки некоторых моделей плат могут не поддерживать разгон памяти, а новые — уже включают эту функцию.
Как разогнать оперативную память в BIOS
Разгон в BIOS — самый универсальный способ. Он требует много усилий и времени, так как подбирать параметры приходится вручную. Порой на достижение оптимальных характеристик может уйти день‑другой. Но работает всегда — разумеется, если ваша материнская плата поддерживает оверклокинг. Главное — не увеличивать напряжение выше пиковых значений и не игнорировать ошибки в тестах стабильности системы.
Определите характеристики оперативной памяти
В Thaiphoon Burner нажмите Read и выберите нужный модуль памяти. Характеристики показываются отдельно для каждого из них.
1 / 0
2 / 0
В CPU‑Z эти данные представлены на вкладке SPD. В верхней части — тип памяти, её частота, ранг, сведения о производителе и дате выпуска. В нижней — тайминги.
Эта же информация есть в Aida64: в пункте «Системная плата» — SPD:
Оцените производительность памяти в бенчмарке
Запустите бенчмарк для оценки скорости работы модулей до разгона. Например, в разделе «Тесты» Aida64 доступны варианты «Чтение из памяти», «Запись в память», «Копирование в памяти» и «Задержка памяти». Дождитесь окончания каждого теста и сохраните результаты — запишите или сделайте скриншоты.
Увеличьте напряжение и частоту
Поднимите рабочее напряжение модулей памяти. Для самого распространённого сегодня стандарта DDR4 нормой считается 1,2 В, пиковым — 1,5 В, значит, разгон можно проводить в пределах 1,35–1,45 В.
Рекомендуем также увеличить напряжение контроллера (VCORE SOC для AMD, VCCSA для Intel), если материнская плата не делает это автоматически. Параметр должен быть в пределах 1,05–1,1 В.
Вы можете увеличить и VCCIO на 0,05–0,1 В. Дополнительное напряжение может сделать систему стабильнее.
Затем постепенно повышайте частоту памяти. Для Ryzen многое зависит от архитектуры процессора. Так, в системах с чипами на микроархитектуре Zen оперативную память можно разогнать до 3 466 , на Zen+ — до 3 533 , на Zen2 — до 3 800 . Для Zen3, которая появилась в продаже в , ожидается разгон памяти до 4 000 МГц и выше.
Примерные значения вы можете определить в DRAM Calculator for Ryzen для систем на базе процессора AMD. Вам нужно указать микроархитектуру (Zen, Zen+, Zen2, Zen3), тип чипа памяти, ранг (1 или 2), количество модулей и чипсет материнской платы.
Напомним: характеристики памяти детально описаны в Thaiphoon Burner. Семейство процессора и материнской платы найдёте в CPU‑Z или Aida64.
После того как вы установили основные параметры системы в DRAM Calculator for Ryzen, нажмите R‑XMP, чтобы он выполнил базовые расчёты. А затем определите нужные настройки для безопасного (Calculate Safe), быстрого (Calculate Fast) или экстремального разгона (Calculate Extreme).
Для Intel аналогов DRAM Calculator for Ryzen пока нет. Но если вы пользуетесь какими‑то средствами, которые облегчают подбор параметров, напишите о них в комментариях.
Разработчики DRAM Calculator for Ryzen предлагают пользователям делиться результатами разгона и собирают статистику в таблицы:
- Zen;
- Zen+;
- Zen2.
Не рекомендуем сразу увеличивать частоту оперативной памяти выше значений, которые поддерживает процессор. Характеристики процессоров Intel ищите на этой странице.
На сайте AMD вы также можете найти информацию о конкретной модели чипсета.
Перезагрузите компьютер и проверьте результат
Прежде всего запустите бенчмарк и посмотрите, увеличились ли результаты. Если нет, верните предыдущие значения — вероятно, вы достигли максимальной частоты работы памяти. Если показатели выросли, запустите тест стабильности системы, например из DRAM Calculator for Ryzen.
Если в тесте ошибок не будет, можете начать более фундаментальные испытания. Пары часов в Prime95 или другом требовательном к памяти бенчмарке будет достаточно. Только если в течение длинного стресс‑теста вы не поймали BSOD («синий экран смерти») или другие ошибки, можете перейти к следующему этапу разгона. В ином случае возвращайте предыдущие значения.
Повторите
Повышайте частоту оперативной памяти, пока компьютер работает стабильно. Если же он не запустился после перезагрузки, верните предыдущие значения параметров, которые вы меняли.
Уменьшите тайминги
Когда вы достигли максимально возможных значений частоты работы оперативной памяти, снижайте базовые тайминги (первые четыре значения) на единицу и снова тестируйте систему. Остановиться стоит, когда вы перестанете видеть прирост производительности или когда компьютер не сможет стабильно работать.
1 / 0
2 / 0
Как разогнать оперативную память с помощью XMP‑профиля
XMP‑профиль (eXtreme Memory Profile — экстремальный профиль памяти) — это параметры для разгона оперативной памяти, заданные производителем. Фактически это «одобренный оверклокинг»: мощность будет выше, чем с изначальными заводскими настройками, а риски вывести систему из строя минимальны.
Это, пожалуй, самый простой способ разгона. Если, конечно, XMP‑профили доступны для вашего ПК.
Проверьте, поддерживает ли система XMP‑профили
Зайдите в BIOS / UEFI и перейдите на страницу настроек памяти. Если здесь есть пункт вроде Memory Profile и в нём доступны варианты XMP‑профилей, значит, ваша система поддерживает эту возможность. В самом профиле вы можете увидеть конкретные значения параметров работы оперативной памяти.
Оцените производительность памяти в бенчмарке
Откройте DRAM Calculator for Ryzen, запустите Membench и выберите подходящий тест. Рекомендуем Easy, если у вас до 8 ГБ оперативной памяти, и Memtest — если больше.
Вы также можете запустить тесты в Aida64 или других бенчмарках.
Примените XMP‑профиль
Переключите конфигурацию в BIOS / UEFI со стандартной на нужный XMP‑профиль. Примените настройки и перезагрузите систему.
На некоторых платах профили включаются иначе. Например, в BIOS / UEFI материнских плат ASUS их можно активировать в разделе AI Tweaker. В BIOS / UEFI игровых материнских плат MSI этот пункт вынесен на главную страницу или на вкладку Extreme Tweaker.
Оцените результат
Снова запустите бенчмарк и оцените рост показателей. Затем запустите тест стабильности системы (Prime95 и другие) — не менее чем на два часа, а лучше — на 12–24 часа.
Если всё прошло успешно, используйте этот профиль или попробуйте следующий. Затем сравните результаты и выберите тот, который обеспечит вам большую производительность.
Если система не запустилась, поэкспериментируйте с другим профилем или верните заводские настройки. Обычно первый вариант немного повышает производительность системы, а второй и последующие обеспечивают более экстремальный разгон.
Как разогнать оперативную память с помощью AMD Ryzen Master
AMD Ryzen Master — это утилита для комплексного разгона систем на базе процессоров AMD Ryzen. Оверклокинг здесь похож на разгон памяти в BIOS. Но интерфейс универсальнее и есть готовый бенчмарк для тестов.
В секции Memory Control вы можете установить нужные параметры производительности. При выборе настроек рекомендуем отталкиваться от значений, которые выдаст DRAM Calculator for Ryzen.
По завершении настройки сохраните профиль, а затем нажмите Apply & Test. Встроенный бенчмарк поможет проверить стабильность и продуктивность работы системы.
Скачать AMD Ryzen Master →
Задаваясь вопросом об увеличении производительности компьютера без установки новых комплектующих, вы наверняка встречали материалы про разгон процессора или разгон видеокарты… Но слышали ли вы про разгон оперативной памяти?
В данной статье мы разберемся, как разогнать ОЗУ и что для этого нужно.
Что дает разгон оперативки?
Зачастую для раскрытия потенциала вашего процессора требуется оперативная память не только с большим объемом, но и с высокими частотами. Если ваша память низкочастотная, то ее вполне реально разогнать и получить бонус к производительности компьютера.
Конечно, здесь учитываются такие факторы, как чипсет материнской платы, тип процессора и т.д., но, так или иначе, разгон явно лишним не будет, так как прирост производительности произойдет при любом раскладе.
Комьюнити теперь в Телеграм
Подпишитесь и будьте в курсе последних IT-новостей
Подписаться
Какие параметры стоит учитывать при разгоне
Тайминг
Одна из основных характеристик ОЗУ. Вдаваться в детали я не буду, но если вкратце: тайминги должны быть минимальными, но такими, чтобы система работала стабильно. Определять мы их в дальнейшем будем методом тыка, потому что конкретные значения для разных плашек ОЗУ найти трудно.
Частота
Основная характеристика ОЗУ. Здесь все устроено проще, но стратегия обратная: ищем самое высокое значение, при котором система будет работать стабильно.
Ранг памяти
Тоже важная характеристика памяти. Узнать ранг памяти довольно просто – иногда он указан в названии модели вашей плашки. Буква S – Single Rank (один ранг), D – Dual Rank (два ранга).
Бывает, что среди буквенной каши трудно найти нужную букву, поэтому можно просто загуглить название плашки с запросом «Сколько рангов».
Совет: модель плашки и слово ранг лучше выделять кавычками, чтобы Гугл искал запросы только с этими словами.
Ранг памяти напрямую влияет на то, как память будет поддаваться разгону. Одноранговые плашки считаются самыми подходящими для разгона, так как выдают больше мощности при изменении настроек, однако же двухранговые даже без разгона могут выдавать приличные значения.
Вольтаж
Как вы понимаете, если память будет работать на более высоких частотах, то и подаваемое питание нужно увеличить. Здесь все зависит от типа ОЗУ.
Для DDR2 нормальное напряжение держится на отметке 1.8 В, для DDR3 – 1.5 В, а DDR4 требует всего 1.2 В.
Соответственно, добиваясь максимальных частот, стоит учитывать, что максимальное значение напряжения для DDR2 должно составлять не больше 2.2 В, для DDR3 – 1.7 В, для DDR4 – 1.4 В. Переступать через данные отметки СТРОГО НЕ РЕКОМЕНДУЕТСЯ, иначе вы рискуете здоровьем оперативной памяти!
Начинаем веселье!
Для начала мы переходим в BIOS – сделать это можно нажатием на клавишу F2 (реже F12, F9, DEL) при запуске компьютера. Клавиша зависит от производителя вашей материнской платы.
Теперь у нас есть два пути. Зачастую у оперативной памяти от именитых брендов есть заранее заготовленные XMP-профили. Это своего рода «пресеты» с нужными настройками. Если у вас таковые имеются в распоряжении, вы – везунчик. Выставляйте нужную частоту, а XMP-профиль сделает все остальное за вас.
Второй путь потребует небольшой усидчивости: вам придется настраивать все вручную, то есть искать настройки в интернете или тыкать наугад.
И в том, и в другом случае нам нужно выставить напряжение плашки и напряжение контроллера памяти и L-3 кэша.
Первое делается в разделе «Dram Voltage». Берем с запасом, но не переступаем через порог!
Второй параметр называется «CPU NB/SoC Voltage». Средние рекомендуемые значения для данного параметра находятся в пределах 1.025–1.15 В, но здесь все зависит от производителя чипа.
Как только вы все настроите, можно приступать к таймингам. Рекомендуется выставить их значение на пару тактов выше. К примеру, для тайминга 9-9-9-24 можно выставить значение 11-11-11-26.
Сохраняем изменения и запускаем ПК. Не спешите радоваться успешному запуску системы – нам, как-никак, еще стресс-тесты нужно делать!
Проверить стабильность системы в стресс-тестах можно с помощью программы MemTest86.
Если все работает стабильно, снова возвращаемся в BIOS и начинаем постепенно сбавлять напряжение плашки и ее тайминги. Затем снова сохраняем настройки, запускаем систему, прогоняем через тесты… И так до первых проблем с системой.
Надо найти идеальный баланс между высокой частотой, низким напряжением и низкими таймингами.
Рекомендую сначала снижать тайминги до отказа, а затем на оптимальных значениях понижать напряжение. Точных значений дать не могу – все плашки работают по-разному, однако после нахождения оптимальных значений вы можете с гордостью считать себя оверклокером!
Спасибо за внимание! Надеюсь, что данная статья помогла вам увеличить производительность ПК.
На Youtube-канале «Компьютерры» есть ролик, в котором редакция начала разговор на тему тюнинга оперативной памяти стандарта DDR4 на платформах Intel и AMD. В том видео были даны азы, в этой статье рассмотрим тему глубже.
С чего начинается настройка
Любой тюнинг начинается с поиска максимальной рабочей частоты модулей ОЗУ и встроенного в процессор контроллера памяти. Последний может работать в нескольких режимах: UCLK = MEMCLK или UCLK = MEMCLK/2 для AMD, а для Intel — Gear1, Gear2 и Gear4.
Эти опции дают гибкость: Gear1 — самый производительный вариант, потому что так частота контроллера и памяти синхронизированы. То есть если модули памяти работают на 3800 МГц, на той же частоте запустится и контроллер.
Но есть проблема: чаще всего его частотный предел — это и есть 3800 МГц. Поэтому если частотный потолок ОЗУ выше, чем, скажем, 4400 МГц, то нужно переходить на Gear2, иначе система просто не запустится.
Так в дело включится делитель и контроллер заработает на частоте памяти, поделенной на два. Получится 2200 МГц для памяти с частотой 4,4 ГГц. Но чем выше делитель и чем медленнее работает контроллер, тем сильнее будет страдать производительность, даже несмотря на высокую частоту ОЗУ. Поэтому соотношение 1:1 все-таки оптимально. Так, условные 3733 МГц с таймингами 14-14-14-28 на Gear1 будут либо равны, либо быстрее, чем 4400 19-19-19-38 на Gear2.
Держа все это в голове, можно приступать к первому шагу тюнинга: выбираем Gear1, вручную вписываем заведомо ослабленные тайминги: что-то вроде 24-24-24-52. Это нужно, чтобы исключить их влияние на стабильность при попытках найти частотный потолок ОЗУ.
Чтобы облегчить себе задачу и не думать, от чего система не стартует, стоит проставить завышенные напряжения в BIOS. Позже они все равно снизятся, так что бояться не надо. Пара часов высокого вольтажа никак не повлияет на компоненты.
Напряжения на AMD должны выглядеть так:
- VSOC — 1.15–1.20 В
- IOD — 1.05–1.10 В
- CCD — 1.05–1.10 В
Напряжения на Intel — так:
- VCCIO — 1.35 В
- VCCSA — 1.45 В
Напряжение на память — 1.5 В для чипов Samsung B-Die и 1.45 В для всех остальных.
На AMD-платформах будет не лишним выпрямить вольтаж на SOC инструментом Load Line Calibration. Параметр есть не у всех материнских плат, но если он на месте, выбираем значение где-то посередине. Главное — добиться того, чтобы под нагрузкой напряжение VSOC не падало ниже 1.14 В. Проверить реальные цифры можно утилитой ZenTimings.
Command Rate и Gear Down
Теперь command rate или скорость отправки команд. Стремиться нужно к единице: так контроллер шлет команды памяти каждый рабочий такт. Двойку — это когда запросы отсылаются с пропуском в один такт, выбираем в крайнем случае. Компромиссное и наиболее частое решение — Gear Down Mode. Не путать с Gear1, Gear2 и так далее — это другое. Так вот GDM (Gear Down Mode). В этом режиме команды шлются каждый такт, но память намеренно игнорирует каждый следующий. Как результат при включенной опции Gear Down невозможны нечетные тайминги. Даже если прописать их вручную, они округлятся до четных, как только система запустится.
И последнее: всегда отключайте Power Down в BIOS, так как она также существенно влияет на производительность.
Первичные тайминги Intel и AMD
Если все готово, начинаем нащупывать максимальную частоту ОЗУ. Начинаем с 4,0 или 3,8 ГГц и движемся вниз до успешного старта. Как только он случился, загружаем ОС и запускаем LinX 0.9.7 для AMD либо 0.9.12 для Intel. Выбираем 10 прогонов, 11264 МБ объема используемой ОЗУ для ПК с 16 ГБ памяти и 25600 МБ для систем с 32 ГБ и больше.
После запускаем утилиту HWInfo, находим в ней строку WHEA и следим за тем, чтобы в ней не было ошибок. Если все хорошо, запускаем TestMem5 с пресетом по умолчанию и дожидаемся конца тестирования. Ошибок быть не должно.
Допустим, частота найдена. Возвращаемся в BIOS и приступаем к оптимизации таймингов. Делается это последовательно, то есть работа ведется с каждым значением по отдельности, иначе понять, какой из них привел систему к краху, будет сложно.
Начинаем всегда с тайминга CL. Опустили, прогнали TestMem5, снизили еще и так, пока не вылезут ошибки.
Следом RCD. Его можно выставить вровень с CL, но чаще придется повышать на 1–3 пункта. Стабильность ищется всё в той же TestMem5 после каждого изменения.
То же касается и RP. Он должен быть равен CL, но это в теории, на практике может быть иначе.
Далее RAS. Он равен CL, сложенному с RCD. Для надежности можно добавить двойку. В тяжелых случаях четверку.
Вторичные тайминги AMD
Переходим ко вторичным таймингам платформы AMD:
- RC = RP + RAS. Иногда требуется добавить двойку или четверку.
- FAW = RRDS*4. Исходя из формулы ясно, что тайминги снижаются парно.
- RRDL ≥ RRDS.
- WTRS ≥ RRDS.
- RTP = WR÷2.
- WTRL ≥ WTRS.
- WTRL ≥ RTP.
- CWL = CL.
Вторичные тайминги Intel
В системах на базе Intel второстепенные тайминги, в основном, настраиваются так же, как на платформах AMD, но их чуть больше и есть пара дополнительных нюансов.
Например, REFI. Его ставим максимально возможным. В идеале — 65535. Реагирует на температуру, поэтому если с таким значением память нестабильна, можно попробовать направить на нее вентилятор.
- WTR_L и WTR_S зависят от WRRD_SG и WRRD_DG, поэтому их, в отличие от AMD-платформ, трогать не нужно. Они изменятся автоматически.
- WRRD_sg=6+CWL+WTR_L.
- WRRD_dg=6+CWL+WTR_S.
- RDPRE = RTP.
- CKE ≥ 4.
- WRPRE = CWL+4+WR.
- RDPRE = RTP.
RFC на обеих платформах настраивается согласно этой таблице и чем он ниже, тем лучше. Тайминг очень капризный и нерабочее значение, скорее всего, потребует сброса BIOS, так что перед тем, как заняться им, лучше сохранить все изменения в памяти материнской платы.
Третичные тайминги AMD
На этом подошли к третичным таймингам.
Они тоже разные для Intel и AMD. Начнем с последней платформы.
- RDRDCSL, WRWRCSL ≥ 3.
- RDWR = 8, если включена Gear Down.
- RDWR = 9, если выключена Gear Down.
- WRRD ≥ 3.
- RDRDSC, WRWRSC = 1.
- CKE = 1 либо Auto.
- RDRDDD, WRWRDD. Нужны для ПК с четырьмя двухранговыми модулями ОЗУ.
- RDRDSD, WRWRSD. Нужны для ПК с двумя двухранговыми модулями ОЗУ.
- RDRDSD = RDRDDD = WRRD = 4.
- WRWRSD = WRWRDD. Оба тайминга всегда на 2 больше, чем RDRDSD и RDRDDD.
Третичные тайминги Intel
Переходим к Intel и сразу легкое правило, которое стоит запомнить, чтобы упростить себе задачу.
- Тайминги с DD на конце относятся к группе Different Dimms, то есть их можно игнорировать, если в системе только два модуля ОЗУ.
- Тайминги с DR на конце относятся к группе Different Ranks — можно игнорировать, если в ПК установлены одноранговые модули.
В остальных случаях действовать нужно так:
- RDWR-группа приравнивается друг к другу и снижается синхронно до рабочего минимума.
- WRRDDR = WRRDDD ≥ 5.
- WRWRDR = WRWRDD ≥ 5.
- RDRDDG = WRWRDG = 4.
- RDRDSG = WRWRSG ≥ 6.
Полезные советы
Теперь советы относительно того, как эффективнее настраивать тайминги:
- Если речь не идет о парных или зависящих друг от друга задержках, то менять лучше всего одно значение за раз, а после тщательно тестировать в TestMem5.
- Шаг должен быть равен единице. Исключение — REFI и RFC.
- Если память капризничает и стабильность никак не найти, имеет смысл поменять модули ОЗУ местами. Обусловлено это тем, что один модуль в комплекте всегда удачнее другого и когда тот, что хуже окажется ближе к процессору, сигнал пойдет по сокращенному пути, что может помочь.
- Даже если изменился только один тайминг — стоит сохранить текущую конфигурацию в BIOS. В противном случае, если понадобится сброс, придется начинать все по новой.
Все тайминги проставлены, что теперь? На этом этапе система досконально проверяется на предмет стабильности. Для этого нужен экстремальная конфигурация тестирования в TestMem5:
- Открываем корневой каталог утилиты, ищем папку bin, в ней удаляем файлы cfg.link и MT.cfg.
- Затем скачиваем архив, распаковываем его и копируем файл extreme@anta777.cfg в каталог bin.
- Переименовываем его в MT.cfg и начинаем тест.
По итогу не должно быть ни одной ошибки. Если она есть, нужно расслаблять тайминги или повышать напряжения. Утилита запускается исключительно от имени администратора.
В редких случаях TestMem5 может выдать ошибку. При таком сценарии открываем MT.cfg в любом текстовом редакторе, ищем строку window size и меняем значение на 1024.
Последний шаг
Когда стабильность найдена, остается последнее — снизить вольтажи, чтобы компоненты работали в более щадящем режиме. Понижать нужно постепенно с шагом в одну ступень: для этого выбираем нужное поле, например VDRAM, и нажимаем «минус» на клавиатуре. Запускаем TestMem 5, убеждаемся, что всё хорошо, повторяем, и так до тех пор, пока не выскочат ошибки. Касается это без исключения всех напряжений, и вот до каких значений стоит их снижать:
- SOC — 1.1–1.15.
- IOD — 1.05.
- CCD — 1.05.
- VCCIO — 1.25–1.3.
- VCCSA — 1.3–1.35
Предупреждение 1: В данной статье не будет подробных материалов по настройке ODT, RTT и прочих параметров не относящихся к настройке таймингов и частоты, т.к. эти параметры индивидуальны для каждой системы и, как показывает практика, полезны лишь тем людям, которые готовы потратить много времени на их настройку вручную, чтобы получить максимум скорости ОЗУ.
Предупреждение 2: Не забывайте про опасность чрезмерного повышения напряжения, уровень рабочего напряжения индивидуален для каждого модуля ОЗУ, некоторые модули ОЗУ не терпят повышение напряжения выше номинального, и повышение напряжения на такие модули памяти может плохо сказаться на стабильности.
Предупреждение 3: Модули памяти не любят высокие температуры, при сильном разгоне следует организовать охлаждение для памяти, иначе неизбежно будут ошибки в работе, и не получится достичь максимальных результатов.
Предупреждение 5: Предыдущее предупреждение потерялось, оно не хотело брать ответственность за свои действия…
Вот и закончились предупреждения, время начать сначала, а именно с момента когда я собственно и пришел к универсальному методу разгона ОЗУ.
Данную предысторию можно пропустить при желании.
В далеком 2016 году у меня появился один интересный модуль, имя его: GeIL 16GB GP416GB2400C16SC (далее сокращенно GEIL), так же была еще Crucial 8GB CT8G4DFD8213, в те времена у меня была система Z170+6700K и опыта в разгоне DDR4 особого не было, мои результаты разгона были 2600 МГц для GEIL и 3100 МГц для Crucial.
Внешний вид GeIL 16GB GP416GB2400C16SC
После в 2017 году я перешел на B350+R5 1600 BOX, на первых биосах GEIL отказалась вообще работать, в то время как Crucial легко и просто взяла те же «3100 МГц» (3066 МГц) как и в паре с 6700K, после я прошил последний биос, который был на тот момент, и GEIL без проблем заработала, взяв по частоте 2666 МГц.
Уже в начале 2018 года я смог выжать из GEIL — 2933 МГц, благодаря настройке ODT, для GEIL требовалось ODT на уровне 80 Ом. Crucial даже с ручной настройкой ODT выше «3100 МГц» не получилось разогнать.
Сохранившиеся старые скриншоты GEIL 16GB + Crucial 8GB, 6700K Gammax 300 и R5 1600 BOX.
В том же 2018 году я перешел на 2600X и научился разгонять память по своему, калькуляторы вообще никак не могли помочь с разгоном GEIL, они всегда давали нерабочие параметры, с которыми GEIL не могла работать, советы других людей тоже ничем не помогали в разгоне таймингов (частотный потолок я ведь уже нашел).
Сложность разгона GEIL заключалась в том, что эта память имела 8 двухслойных чипов общим объемом 16GB, и любое ручное отклонение по таймингам от того, что контроллер подобрал на автомате, приводило обычно к нестабильности или вовсе невозможности запустить систему.
Сохранившаяся информация о модуле памяти GeIL 16GB GP416GB2400C16SC
Я обратил внимание на то, что система в автоматическом режиме на разных частотах устанавливает разные вторичные тайминги, и подумал: Почему бы не использовать тайминги от более низкой частоты на более высокой частоте? И мне это удалось.
После я предлагал друзьям и знакомым свой метод разгона памяти попробовать, в целом результаты положительные, если все правильно сделать, особенно если в системе установлена память, которую никто не обозревает, непонятно что за она, и чего ждать от нее (таких комплектующих, увы, большинство на рынке, по которым найти информацию крайне тяжело, либо невозможно по причине «скрытности» производителей некоторых).
Теперь можно перейти к принципу разгона:
Всего 5 этапов, 4 из них обязательны.
1) Поиск максимальной стабильной частоты ОЗУ.
— На данном этапе необходимо подобрать рабочее напряжение, найти максимальную частоту, при которой стабильно работает, ODT установить подходящее.
-RTT сопротивления можно проигнорировать и оставить на авто, мы ведь не собираемся максимум выжимать из памяти, потратив много времени.
— Тайминги на Авто, при необходимости поднять CL выше 16, бывает такое, что система не поднимает сама CL выше 16.
— Этот этап нужен просто для экономии времени в будущем.
2) Откат частоты ОЗУ от максимальной стабильной на 3-4 множителя.
— ODT и напряжение уже установлены, частота максимальная стабильная найдена, допустим, это будет 2933 МГц при 1.35в и 80 Ом ODT.
— Откат делаем, например, до частоты в 2666 МГц при 1.35в и 80 Ом ODT.
— Если разница частоты слишком большая, например, максимальная стабильная 3333 МГц, а откат нужно делать до 2666 МГц, то возможно потребуется изменить ODT, но это не точно.
— Не забываем делать перезагрузку перед следующим этапом!
3) Зафиксировать тайминги автоматически установленные.
— Мы сделали откат на более низкую частоту, в нашем случае 2666 МГц, теперь самое время записать/сфотографировать все тайминги, получившиеся на данной частоте.
— Устанавливаем все тайминги в биосе, кроме tRFC и таймингов без значения или со значением 0.
— И еще раз: tRFC и тайминги «без значения» / «установленные в 0» НЕ трогать на данном этапе! Это важно!
— Не забываем делать перезагрузку перед следующим этапом!
4) Поднять частоту ОЗУ обратно вверх.
— Мы установили все тайминги кроме tRFC и «без значения», теперь нам осталось только найти максимальную частоту, при которой все это дело будет работать.
— Первый этап нам сейчас экономит очень много времени, т.к. мы уже знаем максимальную частоту, выше которой не прыгнуть.
— Проверяем стабильность
5) Ужимаем тайминги.
— Проверяем стабильность, по желанию ужимаем tRFC и тайминги уже вручную, для достижения более хороших результатов.
С теорией пожалуй разобрались, теперь начнем практику.
В качестве подопытного будет участвовать система:
CPU: AMD Ryzen 3 1200 @ 3849 MHz, 1.38v
Cooler: Кастомный на основе Titan TTC-NK34TZ/RF(BX), наполовину пассивный режим работы.
RAM: 2 x Samsung M378A1G43TB1-CTD
MB: MSI B450-A Pro Max (MS-7B86)
Дата выпуска модулей памяти: Неделя 47 / 2018 и Неделя 12 / 2019 (покупались в разное время)
Маркировка чипов памяти: SEC 910 K4A4G085WT BCTD
Испытуемые модули памяти без «радиаторов»
Подробная информация о модулях памяти Samsung M378A1G43TB1-CTD
*физически модули памяти установлены в слотах A2 и B2
Внешний вид системы на момент проведения разгона.
С информацией о модулях памяти и системе закончили, теперь поэтапный разгон на практике.
Внимание: т.к. я уже знаю максимальную стабильную частоту ОЗУ при заниженных таймингах, я не буду показывать максимальные частоты, на которых память нестабильно запускалась и работала.
Так же я не буду объяснять про настройку ODT и RTT, т.к. это не входит в рамки данной статьи, но для полноты картины я покажу конкретные значения на фото, конкретно для моей системы, с которыми все работает нормально у меня.
1 Этап:
— Мы нашли максимальную рабочую частоту стабильную, установили ODT для этой частоты, так же установили напряжения подходящие
— Для экономии времени сохраним в профиль разгона параметры, чтобы в случае последующих неудач сэкономить много времени, просто восстановив из профиля настройки.
— Проверяем, что все работает нормально
2 Этап:
— Делаем откат частоты, в моем случае 2866 МГц.
— Все настроенные параметры напряжений и ODT / RTT трогать не надо
3-4 Этап:
— Фиксируем тайминги, которые система автоматически установила для частоты 2866 МГц.
— tRFC и тайминги «без значения» не трогаем!
— Поднимаем частоту вверх, т.к. я уже знаю предел рабочий, я могу поднять частоту сразу до 3333 МГц используя тайминги от 2866 МГц.
— Проверяем стабильность, и если все нормально, то повышаем частоту выше.
— В моем случае разница частоты получается 466 МГц при неизменных таймингах.
— В любом другом случае разница частоты может оказаться другой, в зависимости от возможностей модулей памяти, системной платы и процессора, это нужно проверять индивидуально.
5 Этап:
— Поджимаем первичные тайминги, tRFC и, если позволяют модули памяти, можно поджать субтайминги (модули с двухслойными чипами памяти обычно не позволяют просто так это сделать)
— Проверяем стабильность и, если все нормально, то жмем дальше, либо правим параметры для достижения стабильности.
На этом разгон успешно завершен, никакие калькуляторы использовать не пришлось, и расчеты производить тоже необязательно, потому что мы работаем с параметрами, которые система подготовила сама.
Теперь перейдем к сводке результатов, которые во время разгона были собраны:
| AIDA64 CacheMem & PhotoWorxx | |||||
| Read | Write | Copy | Latency | PhotoWorxx | |
| 2866 MHz AUTO | ~43 729 MB/s | ~43 336 MB/s | ~40 764 MB/s | ~83.5 ns | 21 776 |
| 3333 MHz AUTO | ~46 387 MB/s | ~44 973 MB/s | ~41 380 MB/s | ~75.8 ns | 22 712 |
| 3333 MHz, Timings 2866 | ~50 618 MB/s | ~50 285 MB/s | ~47 246 MB/s | ~74.4 ns | 23 689 |
| 3333 MHz, Custom 2866 | ~51 448 MB/s | ~50 927 MB/s | ~47 823 MB/s | ~71.5 ns | 24 125 |
| MemTest86 | ||
| Speed | Latency | |
| 2866 MHz AUTO | ~17 947MB/s | ~72.598 ns |
| 3333 MHz AUTO | ~18 946 MB/s | ~66.757 ns |
| 3333 MHz, Timings 2866 | ~20 352 MB/s | ~64.969 ns |
| 3333 MHz, Custom 2866 | ~20 953 MB/s | ~62.227 ns |
Итого мы получаем:
Разница частоты на автоматических таймингах между 2866 МГц и 3333 МГц достигает 16.3%, в то время как пропускная способность по данным AIDA64 поднимается всего лишь на ~6%, не густо как-то…
Но картина полностью меняется, если зафиксировать тайминги на частоте 2866 МГц и поднять частоту до уровня 3333 МГц, в таком случае разница пропускной способности между 2866 АВТО и 3333 с таймингами от 2866 достигает уже ~16%!
Еще больше разница выходит после ручного «дожима» таймингов на последнем этапе, уже целых ~17% разница по отношению к 2866 МГц! И это при разнице частоты в ~16%.
Преимущества данного метода разгона:
1) Не требуется калькулятор с формулами под рукой для расчета таймингов.
2) Отличные результаты, по сравнению с автоматической установкой таймингов контроллером памяти на высоких частотах.
3) Вероятность ошибки минимальна — мы просто используем то, что система сама настроила стабильно.
4) Не нужно прибегать к помощи программ-калькуляторов, которые, как правило, бесполезны во многих случаях и тратят очень много времени, заставляя перебирать скорее всего нерабочие параметры, которые могут не подходить в конкретном случае.
5) Метод работает всегда, разве что требует внимательности, чтобы не допустить ошибку на одном из этапов разгона.
А теперь немного полезной информации:
— ODT для двухранговой памяти обычно выше чем для одноранговой, в моем случае двухранговая память и рабочие значения у меня 60-68.6 Ом, в вашем случае могут быть другие значения в зависимости от системной платы, от модулей ОЗУ, от процессора.
Например, на Gigabyte B450 Aorus M рабочее значение ODT подходило к 50 Ом с этой же памятью… Поэтому не пытайтесь копировать значения ODT и RTT, оно индивидуально в каждом конкретном случае! И на данный момент я не могу ничего посоветовать универсального с настройкой данных параметров.
— Температура: модули памяти могут давать ошибки при сильном нагреве, именно поэтому у меня стоит над видеокартой 12см куллер, он одновременно сгоняет нагретый воздух с зоны врм, и подгоняет воздух к модулям памяти для охлаждения, так же он в радиатор процессора подгоняет дополнительно воздух.
По факту тройная польза от одного косо-установленного вентилятора на низких оборотах, не говоря уже о том, что он дополнительно обдувает текстолит видеокарты…
Воздушный поток кулера процессора направлен в зону передней панели*
— Чистота и порядок: Иногда мешать разгону могут окисления на контактах ОЗУ, решение проблемы кроется в старом добром ластике…
На этом пожалуй все.
Telegram-канал @overclockers_news — теперь в новом формате. Подписывайся, чтобы быть в курсе всех новостей!